2N5551-B, 100nA 160V 625mW 100@10mA,5V 600mA 110MHz 150mV@10mA,1mA NPN +150-@(Tj) TO-92 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043844296
- Артикул
- 2N5551-B
- Бренд
- Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
- Вес, г
- 0.29
- Корпус
- TO-92
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 5,80 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
160 В 625 МВт, 100 при 10 мА, 5 В 600 мА на биполярныx транзистораx NPN TO-92-3 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.29 |
| Корпус | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 625mW |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transition Frequency (fT) | 110MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 5V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@10mA, 1mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 110 |