Моя заявка (0)

2N5551, Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN

2N5551, Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018654263
Артикул
2N5551
Бренд
Diotec Semiconductor
Version
NPN
Assembly
THT
Military
No
Enclosure
TO-92
Цена по запросу
(от 17,76 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 600мА; 625мВт; TO92 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

VersionNPN
AssemblyTHT
MilitaryNo
EnclosureTO-92
Frequency100 MHz
PackagingAmmo
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г1
КорпусTO-92
ConfigurationSingle
Supplier PackageTO-92
Collector current600 mA
Power dissipation0.625 W
Структураnpn
Standard Package NameTO-92
Minimum DC Current Gain80@10mA@5VI30@50mA@5VI80@1mA@5V
Transit frequency fTmin100 MHz
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-55 °C
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature - (??C)-55~150
Maximum Power Dissipation - (mW)625
Maximum DC Collector Current - (A)0.6
Maximum Emitter Base Voltage - (V)6
Maximum Collector Base Voltage - (V)180
Maximum Transition Frequency - (MHz)300
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V)160
max.voltage between collector and base Vcbo180 V
max.voltage between collector and emitter Vceo160 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.35
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин50
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В160
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В180

Техническая документация