2N5551, 50nA 160V 625mW 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA NPN +150-@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015870113
- Артикул
- 2N5551
- Бренд
- FUXINSEMI
- Вес, г
- 0.28
- Корпус
- TO-92
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 6,20 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
160 В 625 МВт, 165 В при 10 мА, 5 В 600 мА, биполярные транзисторы SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.28 |
| Корпус | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 150@10mA, 5V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |