2N5550TA, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004832373
- Артикул
- 2N5550TA
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.24
- Длина
- 4.7 mm
- Серия
- 2N5550
- Высота
- 4.7 mm
Цена по запросу
(от 19,89 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
| Вес, г | 0.24 |
| Длина | 4.7 mm |
| Серия | 2N5550 |
| Высота | 4.7 mm |
| Ширина | 3.93 mm |
| Упаковка | Ammo Pack |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |