2N5401S-RTK/P, Транзистор биполярный BJT 50нА 150В 350мВт 60@10мА,5В 600мА 100МГц 500мВ@50мА,5мА PNP +150-@(Tj) SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015887598
- Артикул
- 2N5401S-RTK/P
- Бренд
- Korea Electronics
- Packaging
- Tape и Reel(TR)
- Вес, г
- 0.05
- Manufacturer
- KEC Semicon
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
Цена по запросу
(от 2,70 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
150 В 350 МВт, 60 В при 10 мА, 5 В 600 мА, биполярные транзисторы PNP SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Вес, г | 0.05 |
| Manufacturer | KEC Semicon |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Package / Case | SOT-23(SOT-23-3) |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 60@10mA, 5V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 150V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 150V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 5mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 350мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |