Моя заявка (0)
2N5339, Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008018432
Артикул
2N5339
Бренд
Microchip Technology
PPAP
No
Type
NPN
Diameter
9.4(Max)
Material
Si
Цена по запросу
(от 8 620 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Сумка Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000 МВт с 3-контактным разъемом TO-39

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN
Diameter9.4(Max)
MaterialSi
MountingThrough Hole
PackagingBag
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г0.05
PCB changed3
Part StatusActive
КорпусTO-39
ConfigurationSingle
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageTO-39
Структураnpn
Standard Package NameTO
Minimum DC Current Gain60@0.5A@2V|60@2A@2V|40@5A@2V
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)1000
Maximum Base-Emitter Voltage (V)6
Maximum DC Collector Current (A)5
Maximum Collector-Base Voltage (V)100
Maximum Operating Temperature (°C)200
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 200
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)100
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)10000
Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V)1.2@0.2A@2A|1.8@0.5A@5A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.7@0.2A@2A|1.2@0.5A@5A

Техническая документация