2N5192G, Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005368241
- Артикул
- 2N5192G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.68
- Длина
- 7.74 mm
- Серия
- 2N5192
Цена по запросу
(от 114,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 4А, 40Вт, TO225 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.68 |
| Длина | 7.74 mm |
| Серия | 2N5192 |
| Package Type | TO-225 |
| Высота | 11.04 mm |
| Ширина | 2.66 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Minimum DC Current Gain | 20 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V dc |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |