Моя заявка (0)
2N5192G, Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005368241
Артикул
2N5192G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.68
Длина
7.74 mm
Серия
2N5192
Цена по запросу
(от 114,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 4А, 40Вт, TO225 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.68
Длина7.74 mm
Серия2N5192
Package TypeTO-225
Высота11.04 mm
Ширина2.66 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
УпаковкаBulk
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain20
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation40 W
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-225-3
Maximum DC Collector Current4 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V dc
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage80 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage80 V dc
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности40 W
Размер фабричной упаковки500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора4 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.4 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)2 MHz

Техническая документация