2N5190G, Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001228084
- Артикул
- 2N5190G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- 2N5190
- Packaging:
- Bulk
- Вес, г
- 0.05
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Рыночный спрос на этот продукт привел к увеличению сроков поставки. Сроки поставки могут меняться. Скидки на этот продукт не распространяются.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | 2N5190 |
| Packaging: | Bulk |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-225-3 |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Gain Bandwidth Product fT: | 2 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Continuous Collector Current | 4А |
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 25 |
| DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
| Частота Перехода ft | 2МГц |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.4 V |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-225 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |