Моя заявка (0)

2N5038G, Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

2N5038G, Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001009410
Артикул
2N5038G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
2
Вес, г
0.05
Длина
39.37 mm
Серия
2N5038
Цена по запросу
(от 2 220 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 20A 90V 140W NPN

Технические параметры

Pin Count2
Вес, г0.05
Длина39.37 mm
Серия2N5038
Package TypeTO-204AA
Высота8.51 mm
Ширина26.67 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
УпаковкаTray
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain20
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation140 W
Maximum Operating Frequency5 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSMB-3
Maximum DC Collector Current20 A
Maximum Emitter Base Voltage7 V
Maximum Operating Temperature+200 °C
Maximum Collector Base Voltage150 V
Maximum Collector Emitter Voltage90 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности140 W
Размер фабричной упаковки100
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток20 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)150 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 200 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.90 V
Максимальный постоянный ток коллектора20 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20

Техническая документация