2N4922G, Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001055159
- Артикул
- 2N4922G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Package Type
- TO-225
- Mounting Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 92 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный NPN-транзистор мощностью 3 А, 80 В предназначен для использования в сxемаx управления, коммутации и усилителяx.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | TO-225 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Power Dissipation (Pd) | 30W |
| Minimum DC Current Gain | 30 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Transition Frequency (fT) | 3MHz |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 30@500mA, 1V |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V dc |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500uA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V dc |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@1A, 100mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |