2N4920G PNP Transistor, -1 A, -80 V, 3-Pin TO-225
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009807917
- Артикул
- 2N4920G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 3A 80V 30W PNP
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Frequency | 3(MHz) |
| Packaging | Box |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 9 |
| Длина | 7.74 mm (Max) |
| Серия | 2N4920 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-225 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 11.04 mm (Max) |
| Ширина | 2.66 mm (Max) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 2.66(Max) |
| Package Height | 11.04(Max) |
| Package Length | 7.74(Max) |
| DC Current Gain | 40 |
| Frequency (Max) | 3 MHz |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | TO-225 |
| Упаковка | Bulk |
| Power Dissipation | 30(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| DC Current Gain (Min) | 40 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (DC) | 1(A) |
| Collector-Base Voltage | 80(V) |
| Minimum DC Current Gain | 30 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 80(V) |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| Collector Current (DC) (Max) | 3 A |
| Maximum DC Collector Current | -1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 3(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100000 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.3@0.1A@1A |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.6@0.1A@1A |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |