2N4401TAR, Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004832367
- Артикул
- 2N4401TAR
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 19,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Fan-Fold |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.24 |
| Длина | 4.7 mm |
| Серия | 2N4401 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | TO-92 |
| Высота | 4.7 mm |
| Ширина | 3.93 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | TO-92 |
| Упаковка | Ammo Pack |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-92 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Maximum Operating Frequency | 250 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Maximum DC Collector Current | 600 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 625 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 250(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.95 15mA 150mA|1.2 50mA 500mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4 15mA 150mA|0.75 50mA 500mA |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |