Моя заявка (0)

2N4401TA, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 600мА, 350мВт, TO92

2N4401TA, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 600мА, 350мВт, TO92

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017540790
Артикул
2N4401TA
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
2N4401
Packaging:
Ammo Pack
Вес, г
0.27
Цена по запросу
(от 14,42 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

40 В 625 МВт при 100@150 мА, 1 В 600 мА на биполярныx транзистораx NPN TO-92-3 - BJT ROHS

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:2N4401
Packaging:Ammo Pack
Вес, г0.27
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-92
Manufacturer:onsemi
Package/Case:TO-92-3 Kinked Lead
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:2N4401TA_NL
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)600mA
Power Dissipation (Pd)625mW
Pd - Power Dissipation:625 mW
DC Current Gain hFE Max:300
Transition Frequency (fT)250MHz
Gain Bandwidth Product fT:250 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@150mA, 1V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:0.6 A
Maximum DC Collector Current:600 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector Cut-Off Current (Icbo)-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:750 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)40V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)750mV@500mA, 50mA
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт350мВт
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В60

Техническая документация