Моя заявка (0)

2N4401TA, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

2N4401TA, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007930230
Артикул
2N4401TA
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
2N4401
Packaging:
Ammo Pack
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 9,80 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.63 Вт

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:2N4401
Packaging:Ammo Pack
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-92_formed_leads
Manufacturer:onsemi
Package/Case:TO-92-3 Kinked Lead
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:2N4401TA_NL
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)600mA
Power Dissipation (Pd)625mW
Pd - Power Dissipation:625 mW
DC Current Gain hFE Max:300
Transition Frequency (fT)250MHz
Gain Bandwidth Product fT:250 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@150mA, 1V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:0.6 A
Maximum DC Collector Current:600 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector Cut-Off Current (Icbo)-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:750 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)40V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)750mV@500mA, 50mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.6

Техническая документация