Моя заявка (0)
2N4300, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004809139
Артикул
2N4300
Бренд
Microchip Technology
RoHS
N
Вес, г
1.85
Упаковка
Bulk
Технология
Si
Цена по запросу
(от 2 770 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

Технические параметры

RoHSN
Вес, г1.85
УпаковкаBulk
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаMicrochip / Microsemi
Упаковка / блокTO-39-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности26 W
Размер фабричной упаковки100
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.120
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)30 MHz