Моя заявка (0)

2N3906TAR, 40V 625mW 100@10mA,1V 200mA 250MHz PNP 400mV@50mA,5mA -55°C~+150°C@(Tj) TO-92-3 BIpolar TransIstors - BJT

2N3906TAR, 40V 625mW 100@10mA,1V 200mA 250MHz PNP 400mV@50mA,5mA -55°C~+150°C@(Tj) TO-92-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017646682
Артикул
2N3906TAR
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
2N3906
Packaging:
Ammo Pack
Вес, г
0.17
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:2N3906
Packaging:Ammo Pack
Вес, г0.17
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-92
Manufacturer:onsemi
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-92-3 Kinked Lead
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Pd - Power Dissipation:625 mW
DC Current Gain hFE Max:300
Gain Bandwidth Product fT:250 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Maximum DC Collector Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц250

Техническая документация