2N3810, Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual Small-Signal BJT THT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075691537
- Артикул
- 2N3810
- Бренд
- Microchip Technology
- RoHS
- N
- Упаковка
- Bulk
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- Through Hole
Цена по запросу
(от 3 940 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Технические параметры
| RoHS | N |
| Упаковка | Bulk |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-78-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 50 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at 100 uA at 5 VDC |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 at 100 uA at 5 VDC |