2N3507, Bipolar Transistors - BJT 50V 3A 1W Power BJT THT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004809123
- Артикул
- 2N3507
- Бренд
- Microchip Technology
- RoHS
- N
- Вес, г
- 1
- Упаковка
- Bulk
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 6 440 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Технические параметры
| RoHS | N |
| Вес, г | 1 |
| Упаковка | Bulk |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 175 at 500 mA at 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 at 500 mA at 1 V |