Моя заявка (0)

2N3500, Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT

2N3500, Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004809122
Артикул
2N3500
Бренд
Microchip Technology
RoHS
N
Вес, г
1
Упаковка
Bulk
Структура
npn
Цена по запросу
(от 1 440 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BJTs

Технические параметры

RoHSN
Вес, г1
УпаковкаBulk
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаMicrochip / Microsemi
Упаковка / блокTO-39-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1 W
Размер фабричной упаковки241
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)150 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 200 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.150 V
Максимальный постоянный ток коллектора300 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.120 at 150 mA, 10 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40 at 150 mA, 10 V