Моя заявка (0)

2N3055G, Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 15А, 115Вт, TO3

2N3055G, Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 15А, 115Вт, TO3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061893376
Артикул
2N3055G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
2
Вес, г
11.83
Длина
39.37 mm
Серия
2N3055
Цена по запросу
(от 504,15 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ON Semiconductor 2N3055G - это биполярный силовой транзистор PNP на 15 А и 60 В. Он предназначен для использования в усилителяx высокой мощности и коммутационныx усилителяx.

Технические параметры

Pin Count2
Вес, г11.83
Длина39.37 mm
Серия2N3055
Package TypeTO-204AA
Высота8.51 mm
КорпусTO-3
Ширина26.67 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
УпаковкаTray
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain20
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation115 W
Maximum Operating Frequency2.5 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-204-2
Maximum DC Collector Current15 A
Maximum Emitter Base Voltage7 V
Maximum Operating Temperature+200 °C
Maximum Collector Base Voltage100 V
Maximum Collector Emitter Voltage60 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности115000 mW
Размер фабричной упаковки100
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт115
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)15
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора15 A
Статический коэффициент передачи тока h21э мин20
Статический коэффициент передачи тока h21э макс70
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц2.5
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100 | 60
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)2.5 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100

Техническая документация