2N3019S, Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014218595
- Артикул
- 2N3019S
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology
- Packaging:
- Bulk
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 1 110 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Packaging: | Bulk |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-39 |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-39-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 140 V |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |