Моя заявка (0)

2N2907AUB1, Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 730mW 4-Pin Case UB Tray

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8027072267
Артикул
2N2907AUB1
Бренд
STMicroelectronics
PPAP
No
SVHC
Yes
Type
PNP
Category
Bipolar Power
Цена по запросу
(от 21 990 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT PNP 60V 0,5A 730 МВт, 4-контактный корпус, UB-лоток

Технические параметры

PPAPNo
SVHCYes
TypePNP
CategoryBipolar Power
MaterialSi
MountingSurface Mount
PackagingTray
Pin Count4
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г0.05
PCB changed4
Part StatusActive
Power - Max1.8 W
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package Width2.54
Package / Case3-SMD, No Lead
Package Length3.05
Transistor TypePNP
Supplier PackageCase UB
Operating Temperature-65°C ~ 200°C(TJ)
SVHC Exceeds ThresholdYes
Minimum DC Current Gain75@0.1mA@10V, 100@10mA@10V, 100@150mA@10V, 50@500mA@10V
Supplier Device PackageUB
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Maximum Power Dissipation (mW)730
Current - Collector Cutoff (Max)50nA
Maximum Base-Emitter Voltage (V)5
Maximum DC Collector Current (A)0.5
Maximum Collector-Base Voltage (V)60
Maximum Operating Temperature (°C)200
Minimum Operating Temperature (°C)-65
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)60
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)10000
Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V)1.3@15mA@150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60 V
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.4@15mA@150mA

Техническая документация