Bipolar junction transistor, NPN, 200 mA, 40 V, THT, TO-18, 2N2369-T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026530841
- Артикул
- 2N2369-T
- Бренд
- Comset Semiconductors
- Version
- NPN
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-18
- Вес, г
- 0.05
Цена по запросу
(от 218 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NPN-транзистор, 2N2369-T, COMSET NPN-транзистор 2N2369-T установлен в металлическом корпусе TO-18, коллектор которого подключен к корпусу. Он разработан специально для высокоскоростной коммутации с насыщением при уровняx тока от 100 мкА до 100 мА. Особенности Соответствие требованиям RoHS
Технические параметры
| Version | NPN |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-18 |
| Вес, г | 0.05 |
| Min DC gain | 40 mA |
| Корпус | TO-18/КТ-1-7 |
| Rated current | 200 mA |
| Collector current | 200 mA |
| Power dissipation | 0.36 W |
| Saturation voltage | 200 mV |
| Структура | npn |
| Max DC amplification | 120 mA |
| Transit frequency fTmin | 500 MHz |
| max. operating temperature | 200 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 40 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 40 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 200 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |