Моя заявка (0)

2N2222AUA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 800 mA 500 mW Surface Mount Ceramic SMD

2N2222AUA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 800 mA 500 mW Surface Mount Ceramic SMD

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063751102
Артикул
2N2222AUA
Бренд
TT ELECTRONICS
Brand:
Optek/TT Electronics
Packaging:
Waffle
Вес, г
0.05
Power - Max
500 mW
Цена по запросу
(от 8 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Датчики высокой надежности Optek / TT Electronics Датчики COTS высокой надежности Optek / TT Electronics обеспечивают надежную работу, малый форм-фактор и длительный срок службы в различныx областяx применения. Эти стандартные решения доступны в различныx стиляx и типаx.

Технические параметры

Brand:Optek/TT Electronics
Packaging:Waffle
Вес, г0.05
Power - Max500 mW
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:TT Electronics
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Package / Case4-CLCC
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-65°C ~ 200°C(TJ)
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:500 mW
Supplier Device PackageCeramic SMD
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:75 V
Continuous Collector Current:800 mA
Maximum DC Collector Current:800 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)800 mA
Maximum Operating Temperature:+200 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Current - Collector Cutoff (Max)50nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1 V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce75 @ 1mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V

Техническая документация