Bipolar junction transistor, NPN, 800 mA, 30 V, THT, TO-18, 2N2222-T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026533440
- Артикул
- 2N2222-T
- Бренд
- Comset Semiconductors
- Version
- NPN
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-18
- Вес, г
- 0.05
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Коммутирующий NPN-транзистор, 2N2222-T, COMSET NPN-транзистор 2N2222-T установлен в металлическом корпусе TO-18. Он предназначен для применения в системаx высокоскоростной коммутации и обеспечивает полезный коэффициент усиления по току в широком диапазоне токов коллектора, низкие токи утечки и низкие напряжения насыщения. Особенности Соответствие требованиям RoHS
Технические параметры
| Version | NPN |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-18 |
| Вес, г | 0.05 |
| Min DC gain | 100 mA |
| Корпус | TO-18/КТ-1-7 |
| Rated current | 800 mA |
| Collector current | 800 mA |
| Power dissipation | 0.5 W |
| Saturation voltage | 300 mV |
| Структура | npn |
| Max DC amplification | 300 mA |
| Transit frequency fTmin | 250 MHz |
| max. operating temperature | 200 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 60 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 30 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |