2N2221AUA, Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 650mW 4-Pin UA Waffle
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006836492
- Артикул
- 2N2221AUA
- Бренд
- Microchip Technology
- PPAP
- No
- RoHS
- N
- Type
- NPN
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 3 160 ₽)
Минимальный заказ: 39 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 50 В 0,8 А 650 МВт 4-контактный разъем UA Waffle
Технические параметры
| PPAP | No |
| RoHS | N |
| Type | NPN |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Waffle |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | UA |
| Упаковка | Waffle |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | UA |
| Minimum DC Current Gain | 30@0.1mA@10V|35@1mA@10V|40@10mA@10V|40@150mA@10V|20@500mA@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Microsemi |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 650 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 6 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.8 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 75 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 200 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 10000 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |