2DD2652-7, Bipolar Transistors - BJT LOW VSAT NPN SMT 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005474816
- Артикул
- 2DD2652-7
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- Type
- npn
- HTSUS
- 8541.21.0075
- EU RoHS
- compliant
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор NPN, биполярный, 12В, 3А, 300мВт, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Type | npn |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| EU RoHS | compliant |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Mounting | surface mount |
| ECCN (US) | ear99 |
| Packaging | tape and reel |
| Pin Count | 3 |
| Lead Shape | gull-wing |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.15 mm |
| Серия | 2DD2 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | active |
| Power - Max | 300mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | bipolar power |
| Supplier Package | sot-323 |
| Структура | npn |
| Base Product Number | 2DD2652 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Standard Package Name | sot-323 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 260MHz |
| Minimum DC Current Gain | 270 200ma 2v |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 25mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 15 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 260(typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 12 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2 25ma 500ma |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 at 200 mA at 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 200 mA, 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 260 MHz |