2DD1664Q-13, Транзистор NPN, биполярный, 32В, 1А, 1Вт, SOT89
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070105146
- Артикул
- 2DD1664Q-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.15
- Длина
- 4.5 mm
- Серия
- 2DD16
- Высота
- 1.5 mm
Цена по запросу
(от 65,16 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1000W 32Vceo
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | 2DD16 |
| Высота | 1.5 mm |
| Ширина | 2.48 mm |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 280 MHz |