Моя заявка (0)

2DD1664Q-13, Транзистор NPN, биполярный, 32В, 1А, 1Вт, SOT89

2DD1664Q-13, Транзистор NPN, биполярный, 32В, 1А, 1Вт, SOT89

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021354375
Артикул
2DD1664Q-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.15
Длина
4.5 mm
Серия
2DD16
Высота
1.5 mm
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор NPN, биполярный, 32В, 1А, 1Вт, SOT89 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Вес, г0.15
Длина4.5 mm
Серия2DD16
Высота1.5 mm
КорпусSOT-89/TO-243
Ширина2.48 mm
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
ПроизводительDiodes Incorporated
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1000 mW
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.32 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)280 MHz

Техническая документация