Diodes Inc 2DC4672-13 NPN Transistor, 3 A, 50 V, 3-Pin SOT-89
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014597522
- Артикул
- 2DC4672-13
- Бренд
- DIODES INC.
- I(C)
- 3 A
- P(tot)
- 1 W
- V(CBO)
- 60 V
- V(CEO)
- 50 V
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 40 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 50V 3A NPN SMT
Технические параметры
| I(C) | 3 A |
| P(tot) | 1 W |
| V(CBO) | 60 V |
| V(CEO) | 50 V |
| Package | SOT89 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | 2DC46 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Current gain | 82 |
| Package Type | SOT-89 |
| Polarisation | NPN |
| Высота | 1.5 mm |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Minimum DC Current Gain | 82 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 82@500mA, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 350mV@50mA, 1A |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 a |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 105 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 82 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 45 at 1.5 A, 2 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |