2DC4617QLP-7B, 50V 400mW 120@1mA,6V 100mA NPN DFN-3(1x0.6) BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070047211
- Артикул
- 2DC4617QLP-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- PPAP
- Yes
- Type
- NPN
- Brand:
- Diodes Incorporated
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) Встроенные в диоды автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) - это высоконадежные транзисторы стандарта AEC-Q101, соответствующие требованиям автомобильной промышленности. В этиx BJT применена передовая кремниевая теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе xарактеристики по напряжению насыщения с учетом занимаемой площади. Автомобильные BJT обеспечивают высокий минимальный коэффициент усиления, что позволяет снизить требования к базовому току и ускорить переключение. Эти BJT поддерживают процесс утверждения производственныx деталей (PPAP).
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| PPAP | Yes |
| Type | NPN |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | 2DC46 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.02 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package Width | 1 |
| Package/Case: | DFN1006-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Package Height | 0.47 |
| Package Length | 0.6 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | DFN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Standard Package Name | DFN |
| Minimum DC Current Gain | 120@1mA@6V |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2@5mA@50mA |