Моя заявка (0)
2DC2412R-7, Bipolar Transistors - BJT 50V NPN SMT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005541475
Артикул
2DC2412R-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.01
Длина
3 mm
Серия
2DC24
Высота
1.1 mm
Цена по запросу
(от 23,21 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 50V NPN SMT

Технические параметры

Вес, г0.01
Длина3 mm
Серия2DC24
Высота1.1 mm
Ширина1.4 mm
Transistor TypeNPN
УпаковкаReel
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)150mA
Power Dissipation (Pd)300mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)180MHz
ПроизводительDiodes Incorporated
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)180@1mA, 6V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности300 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@5mA, 50mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.15 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.180 at 1 mA at 6 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)180 at 1 mA at 6 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)180 MHz

Техническая документация