2DB1386R-13, 20V 1W 180@500mA,2V 5A PNP SOT-89 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023469891
- Артикул
- 2DB1386R-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.13
- Длина
- 4.5 mm
- Серия
- 2DB13
- Высота
- 1.5 mm
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 2.5K BIPOLAR
Технические параметры
| Вес, г | 0.13 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | 2DB13 |
| Высота | 1.5 mm |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Ширина | 2.48 mm |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 5A |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@500mA, 2V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@100mA, 4A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 at 0.5 A at 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 at 500 mA, 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |