Моя заявка (0)

2DB1184Q-13, 50V 15W 120@500mA,3V 3A PNP TO-252-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

2DB1184Q-13, 50V 15W 120@500mA,3V 3A PNP TO-252-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023469890
Артикул
2DB1184Q-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.4
Длина
6.8 mm (Max)
Серия
2DB11
Высота
2.4 mm (Max)
Цена по запросу
(от 34 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 2.5K BIPOLAR

Технические параметры

Вес, г0.4
Длина6.8 mm (Max)
Серия2DB11
Высота2.4 mm (Max)
Корпусdpak(to-252)
Ширина6.2 mm (Max)
УпаковкаReel
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
ПроизводительDiodes Incorporated
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокDPAK-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности15000 mW
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт15
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Статический коэффициент передачи тока h21э мин120
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.120
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц110
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)110 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В60

Техническая документация