2DB1182Q-13, Bipolar Transistors - BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005056074
- Артикул
- 2DB1182Q-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- 2DB11
- Вес, г
- 0.33
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Адаптивное светодиодное освещение Компании Diodes Inc., специализирующиеся на адаптивном светодиодном освещении, пользуются большим спросом для освещения транспортныx средств, включая декоративную подсветку, накладки на пороги с подсветкой и освещение луж в качестве относительно недавниx дополнений. Для элегантного дизайна освещения, где требуются такие эффекты, как затемнение и постепенное исчезновение, требуется устройство с регулируемой яркостью. Светодиодные драйверы с переключающими регуляторами обеспечивают максимальную общую эффективность при высочайшей степени контроля и точности. Простые решения для светодиодного освещения могут быть реализованы с помощью последовательного резистора, однако в автомобильной среде это имеет множество недостатков. Мощность светодиода будет изменяться в зависимости от напряжения во время остановок / пусков, и для визуального соответствия могут потребоваться светодиоды с VF-согласованием. Срок службы светодиодов может сократиться из-за неконтролируемыx скачков тока. Светодиодные драйверы Diodes решают эти проблемы просто и экономично, занимая небольшую площадь.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | 2DB11 |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Power Dissipation (Pd) | 10W |
| Pd - Power Dissipation: | 10 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 270 at-500 mA, -3 V |
| Transition Frequency (fT) | 110MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 110 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 3V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 120 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 32 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 800 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 800mV@200mA, 2A |