2DB1132R-13, SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017690090
- Артикул
- 2DB1132R-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.22
- Длина
- 4.5 mm
- Серия
- 2DB11
- Высота
- 1.5 mm
Цена по запросу
(от 57 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1000W -32Vceo
Технические параметры
| Вес, г | 0.22 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | 2DB11 |
| Высота | 1.5 mm |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Ширина | 2.48 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 125 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 at - 100 mA, - 3 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 190 MHz |