Моя заявка (0)

2DA1213YQ-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5K

2DA1213YQ-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005056064
Артикул
2DA1213YQ-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.05
Корпус
SOT-89/TO-243
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 92 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5K

Технические параметры

Вес, г0.05
КорпусSOT-89/TO-243
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1 W
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора2.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.240 at - 500 mA, - 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120 at - 500 mA, - 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)160 MHz

Техническая документация