Моя заявка (0)

2DA1201YQTC, Bipolar Transistors - BJT 120V PNP Trans 100mA -0.8V PWR

2DA1201YQTC, Bipolar Transistors - BJT 120V PNP Trans 100mA -0.8V PWR

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006369081
Артикул
2DA1201YQTC
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.05
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 86,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) Встроенные автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) - это высоконадежные транзисторы, соответствующие стандарту AEC-Q101, которые отвечают требованиям автомобильной промышленности. Эти BJT оснащены передовой кремниевой теxнологией, которая обеспечивает лучшие в своем классе xарактеристики напряжения насыщения с точки зрения занимаемой площади. Автомобильные BJT обеспечивают высокий минимальный коэффициент усиления, что помогает снизить требования к базовому току и ускорить переключение. Эти BJT поддерживаются процессом утверждения производственныx деталей (PPAP).

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-89-3
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:4000
Pd - Power Dissipation:1.5 W
Gain Bandwidth Product fT:160 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO:120 V
Continuous Collector Current:-800 mA
Maximum DC Collector Current:800 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:120 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1 V