215-070, SCT N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin SCT020W120G3-4AG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050022673
- Артикул
- 215-070
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- SCT
- Pin Count
- 4
- Mount Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 21 710 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 3-го поколения компании ST. Устройство отличается очень низким значением RDS (on) во всем диапазоне температур в сочетании с низкой емкостью и очень высокой скоростью переключения, что повышает эффективность применения с точки зрения частоты, энергоэффективности, размера системы и снижения веса.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | SCT |
| Pin Count | 4 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | HiP247 |
| Forward Voltage Vf | 3V |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Power Dissipation Pd | 541W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 121nC |
| Maximum Operating Temperature | 200°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18.5mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |