Моя заявка (0)
1НТ251А1 микросхема Au

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059363442
Бренд
Россия
Вес, г
0.05
Цена по запросу
(от 340 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

1НТ251А1 Транзисторные матрицы 1НТ251А1, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов. Предназначены для применения в переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения. Выпускается в прямоугольном металлостеклянном корпусе для монтажа на печатную плату. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 0,4 г. Тип корпуса: 401.14-6. Основные технические характеристики транзисторной сборки 1НТ251А1: ∙ Структура транзистора: n-p-n; ∙ Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт; ∙ fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; ∙ Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм); ∙ Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; ∙ Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; ∙ Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА; ∙ Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 6 мкА (45В); ∙ h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...150; ∙ Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1000 Ом. Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы специального назначения: 1НТ251А1 1 - цифра, указывает группу по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица); НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов; 25 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности первый и третий элементы обозначают номер серии; 1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку; А1 - указывает на различие микросхем одного типа по электрическим параметрам, исполнению или по температурному диапазону.

Технические параметры

Вес, г0.05