1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А 8Вт 8.5Ом [SOT-223.]
![1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А 8Вт 8.5Ом [SOT-223.]](https://static.epl-electro.ru/lib/288/DOC005288116.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001106016
- Артикул
- 1N60G
- Бренд
- Youtai Semiconductor (UMW)
- Вес, г
- 0.39
- Корпус
- SOT-223
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- Enhancement Mode
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
600 В 1 А 11/10 В, 500 мА 4 В 250/120 В N-канальные МОП-транзисторы SOT-223 ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.39 |
| Корпус | SOT-223 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Крутизна характеристики, S | 0.5 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.5 Ом/0.5А, 10В |