Электронные компоненты
и радиодетали
О компании
Как заказать
Услуги
ИИ-подбор
Вакансии
Контакты
+7 495 532-02-51
Позвоните, поможем
info@epl-electro.ru
Каталог
Найти
Моя заявка
(0)
Главная
›
Каталог
›
Электронные компоненты
›
Транзисторы
Полевые (FETs, MOSFETs)
215 904
Фильтры
0
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
51710
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
15059
Нет торговой марки
11522
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
11382
ON Semiconductor***
9454
DIODES INC.
6992
Rohm
5089
STMicroelectronics
5020
INFIN
4892
JSMicro Semiconductor Co., Ltd
4865
ISC
4498
Nexperia B.V.
4046
Toshiba
4000
HXY
3678
TECH PUBLIC
3451
HXY MOSFET
2564
ONS
2429
International Rectifier
2411
Ixys Corporation
2267
MLSM
2240
Alpha & Omega
1809
BYCHIP
1623
Cmos
1585
JGSEMI
1434
Texas Instruments
1310
ONSEMI
1309
Youtai Semiconductor (UMW)
1296
Wayon
1220
Siliup
1202
Doingter
1113
Renesas Technology
1043
HUASHUO
1035
EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
1003
PanJit Semiconductors
909
Taiwan Semiconductor
909
UDUSemi
848
Microchip Technology
843
Winsok Semicon
842
Fairchild Semiconductor
776
GOFORD
767
NXP Semiconductor
765
Россия
738
MSKSEMI
695
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
694
Good-Ark Electronics
689
Diotec Semiconductor
682
Slkor(SLKORMICRO Elec.)
654
Ampleon
631
PJ
580
XNRUSEMI
572
ElecSuper
539
APMTECH
538
NCE
507
OSEN
473
Littelfuse
464
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
461
MOT
425
ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)
411
Minos
410
Jiangsu JieJie Microelectronics
382
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20В
37600
±12В
1735
±20
962
±10В
793
±30В
527
±8В
378
±16В
316
±30
280
±25В
126
±12
125
±16
66
16В
42
±8
41
±25
39
20 V, +20 V
36
20В
34
+5/-16В
32
±10
21
3 V
19
-20 V, +20 V
17
20 V
15
-30 V, +30 V
13
±15В
12
±40В
12
30 V, +30 V
11
600 mV
11
30 V
10
4.5 V
9
10В
8
30В
8
±15
7
20
7
±30 V
7
-25 V, +25 V
6
30
6
5 V
6
10 V
5
12в
5
4 V
5
8 V, +8 V
5
8В
5
±20 V
4
±20V
4
3.5 V
4
650 mV
4
12
3
12 V
3
-15 V, +15 V
3
15 V, +15 V
3
15В
3
2.5 V
3
25 V
3
700 mV
3
8 V
3
-8 V, +8 V
3
10
2
-10 V, +10 V
2
10 V, +10 V
2
13
2
15
2
Особенности
-
31538
высоковольтный
4427
Enhancement Mode
1040
полевая сборка
909
автомобильные приложения
876
логические уровни
781
TrenchFET
401
комплементарная пара транзисторов
327
высокочастотный
217
depletion-mode fet
167
низковольтные mosfets для сильноточных применений
165
Advanced Trench Technology
161
High Cell Density Trench
139
низкопотребляющая портативная электроника
90
интеллектуальный ключ с защитой
84
быстродействующий ключ
64
мощный полевой
58
аудиоприложения
57
Advanced SGT Technology
47
Fast Switching
33
автоприложения
33
высокоскоростной мощный ключ
28
мощный ключ
28
High-Performance Trench
25
однопереходный
22
мощный высокочастотный
20
высокоскоростной
12
мощный высокоскоростной
11
Синхронное выпрямление
11
PDP Switch
10
PWM Optimized
9
StrongIRFET
9
автомобильная промышленность
9
электропривод
9
175/520мгц 7вт
8
высокочастотный ключ
8
Сверхнизкое сопротивление включения
8
175мгц 30вт
7
авто применения.175 гр.с
7
мобильные приложения
7
сквозной канал
6
2-16 15.8x21
5
High Density Split Gate Trench
5
Logic Level Gate
5
автоприложения. электропривод
5
быстродействующий
5
кристалл
5
мощный быстроперек лючающийся
5
приводы электродвигателей
5
Advanced SGTII Technology
4
быстродействующий мощный ключ
4
ёмкость открытого канала-400 пФ
4
малошумящий
4
Технология поверхностного монтажа
4
175/520мгц 15вт
3
520мгц 8вт
3
logic level fet
3
Planar self-aligned Technology
3
vertical dmos fet
3
Ключ
3
Структура
N-Channel
16398
MOSFET
14823
P-Channel
3413
N-МОП
373
МОП-транзистор
336
2 N-Channel
326
Type N
189
P-МОП
130
2 P-Channel
124
Power MOSFET
112
1 N-Channel
65
N-Channel, P-Channel
60
npn
59
N-канал
54
HEMT
35
N
32
pnp
30
Type P
28
P-канал
23
N/P-МОП
20
Enhancement
18
1 N-Channel, 1 P-Channel
9
Type N, Type P
8
GaN HEMT
6
LDMOS FET
5
Split Gate Trench MOSFET
5
2N-канал
4
TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
4
4 N-Channel
3
OptiMOS Automotive Power MOSFET
3
p
3
SiC HalfBridgeModule
3
Single Switch
3
1 P-Channel
2
E-Mode
2
GaAs
2
Half Bridge
2
JFET
2
Middle Power MOSFET
2
pHEMT
2
p-канал
2
инт.ключ
2
1 N-Channel Power MOSFET
1
1 N-Channel SuperFET III MOSFET
1
1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET
1
2P-канал
1
Bi-Directional
1
EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
1
Enhanced-Trench Bottom Oxide(e-TBO)MOSFET
1
N-Channel E Series Power MOSFET
1
N-Channel Super Junction Power MOSFET
1
NFET
1
N-JFET
1
N/P-канал
1
Powerblock
1
Type D
1
Показать
215 904 товара
Сортировка:
По умолчанию
По названию
Дешевле
Дороже
2П 829 Д 2021
Россия
По запросу
(от 10 220 ₽)
В заявку
2П 829 Д 2021 Россия
Нет торговой марки
По запросу
(от 10 020 ₽)
В заявку
нет фото
2П 829 Д 2022
Россия
По запросу
(от 10 700 ₽)
В заявку
2П 829 Д 2022
Россия
По запросу
(от 10 700 ₽)
В заявку
2п829д 2022 г.
Россия
По запросу
(от 14 790 ₽)
В заявку
2п829д 2022 г. Россия
Нет торговой марки
По запросу
(от 14 050 ₽)
В заявку
2П 829 Д 2022 Россия
Нет торговой марки
По запросу
(от 10 490 ₽)
В заявку
2п829д 2024 г.
Россия
По запросу
(от 19 220 ₽)
В заявку
2п829д 2024 г. Россия
Нет торговой марки
По запросу
(от 18 260 ₽)
В заявку
2п829д 2025 г.
Россия
По запросу
(от 22 920 ₽)
В заявку
2п829д 2025 г. Россия
Нет торговой марки
По запросу
(от 21 770 ₽)
В заявку
2П 829 Д Au 2021 год
Россия
По запросу
(от 12 620 ₽)
В заявку
2П 829 Д Au 2021 год Искра
Нет торговой марки
По запросу
(от 12 470 ₽)
В заявку
2П 829 Д Au 2022 год
Россия
По запросу
(от 12 840 ₽)
В заявку
2П 829 Д Au 2022 год Искра
Нет торговой марки
По запросу
(от 12 680 ₽)
В заявку
2П829Д транзитор кремниевый Au
Россия
По запросу
(от 12 290 ₽)
В заявку
2П829Д транзитор кремниевый Au 2021 год
Россия
По запросу
(от 12 940 ₽)
В заявку
2П829Д транзитор кремниевый Au 2022 год
Россия
По запросу
(от 13 130 ₽)
В заявку
2П829Е 2019
Нет торговой марки
По запросу
(от 44 760 ₽)
В заявку
2П829Е 2019
Нет торговой марки
По запросу
(от 43 860 ₽)
В заявку
2П829Е9 АЕЯР.432140.469ТУ 2017
Нет торговой марки
По запросу
(от 34 570 ₽)
В заявку
2П829Е9 АЕЯР.432140.469ТУ 2017
Нет торговой марки
По запросу
(от 33 880 ₽)
В заявку
2П829Е9 АЕЯР.432140.469ТУ (з.у. с) 2017
Нет торговой марки
По запросу
(от 35 360 ₽)
В заявку
2П829Е9 АЕЯР.432140.469ТУ (з.у. с) 2017
Нет торговой марки
По запросу
(от 34 660 ₽)
В заявку
нет фото
2П829И9 АЕЯР.432140.469ТУ, ТРАНЗИСТОР
ОКБ Искра
По запросу
(от 8 480 ₽)
В заявку
2П829И9 АЕЯР.432140.469ТУ, ТРАНЗИСТОР
ОКБ Искра
По запросу
(от 8 480 ₽)
В заявку
2П829И9 АЕЯР.432140.469ТУ, ТРАНЗИСТОР
ОКБ Искра
По запросу
(от 8 480 ₽)
В заявку
2П829И9 АЕЯР.432140.469ТУ, ТРАНЗИСТОР ОКБ Искра
Нет торговой марки
По запросу
(от 8 310 ₽)
В заявку
2П829И9 АЕЯР.432140.469ТУ, ТРАНЗИСТОР ОКБ Искра
Нет торговой марки
По запросу
(от 8 310 ₽)
В заявку
нет фото
2П 830 А 2016
Ангстрем
По запросу
(от 6 040 ₽)
В заявку
‹ Назад
1
…
133
134
135
136
137
…
1000
Вперёд ›
Консультант ЭПЛ
ИИ-консультант