Моя заявка (0)
ZM4732A-GS08, Zener Diodes 4.7 Volt 1 Watt 5%

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005064366
Артикул
ZM4732A-GS08
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
HTS
8541.10.00.50
Type
Voltage Regulator
EU RoHS
Compliant with Exemption
Diameter
2.6(Max)
Цена по запросу
(от 49,15 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стабилитроны 4.7 Volt 1 Watt 5%

Технические параметры

HTS8541.10.00.50
TypeVoltage Regulator
EU RoHSCompliant with Exemption
Diameter2.6(Max)
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count2
AutomotiveYes
Zener TypeGeneral Purpose
Вес, г0.18
Длина5.2 mm
PCB changed2
Part StatusActive
Package TypeDO-213AB
Test Current53mA
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package Length5.2(Max)
Диаметр2.6 mm
Supplier PackageMELF
Power Dissipation1W
Test Current (mA)53
Automotive StandardAEC-Q101
Diode ConfigurationSingle
Zener Voltage (Nom)4.7V
AEC Qualified NumberAEC-Q101
Nominal Zener Voltage4.7V
Standard Package NameMELF
Zener Impedance (Zzt)8Ω
Вид монтажаSMD/SMT
Тип выводовSMD/SMT
Maximum Zener Impedance8Ω
Zener Voltage Tolerance5%
Тип продуктаZener Diodes
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияDiodes Rectifiers
Maximum Power Dissipation1 W
Nominal Zener Voltage (V)4.7
Ток испытаний53 mA
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокDO-213AB-2
Ir - обратный ток10 uA
Reverse Leakage Current (Ir)10uA@1V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Maximum Zener Impedance (Ohm)8
Зенеровский ток10 uA
Maximum Power Dissipation (mW)1000
Maximum Regulator Current (mA)193
Maximum Reverse Leakage Current10µA
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Категория продуктаСтабилитроны
Maximum Power Dissipation @ 25C (mW)1000
Maximum Reverse Leakage Current (uA)10
Pd - рассеивание мощности1 W
Размер фабричной упаковки1500
Допустимое отклонение напряжения5 %
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода4.7 V
Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое8 Ohms

Техническая документация