Моя заявка (0)
Z0107NN0,135, Triacs 800 V 1 A SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004728113
Артикул
Z0107NN0,135
Бренд
WeEn Semiconductors
Brand:
WeEn Semiconductors
Вид
симистор
Тип
тринисторы
SCR Type
-
Цена по запросу
(от 69,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Диод тринистор Z0107NN0,135 от производителя WeEn Semiconductors — это высококачественный симистор, предназначенный для использования в современных электронных устройствах. Данный компонент выполнен в удобном для монтажа SMD-исполнении и заключён в надёжный корпус SOT223, что обеспечивает его легкую установку на печатные платы. Симистор Z0107NN0,135 идеально подходит для управления мощностными нагрузками в бытовой технике, системах освещения и промышленном оборудовании. Используя этот компонент, разработчики получат стабильную и долговременную работу своих проектов. Код товара для заказа: Z0107NN0135. Характеристики Категория Диод Тип тринисторы Вид симистор Монтаж SMD Корпус SOT223

Технические параметры

Brand:WeEn Semiconductors
Видсимистор
Типтринисторы
SCR Type-
Вес, г0.2
Subcategory:Thyristors
КорпусSOT223
МонтажSMD
Manufacturer:WeEn Semiconductors
Product Type:Triacs
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-4
Part # Aliases:934065054135
On-State Voltage:1.3 V
Product Category:Triacs
Thyristor MountingSurface Mount
Holding Current (Ih)10mA
Operating Temperature-
Peak On State Voltage1.6В
Holding Current Ih Max:10 mA
Gate Trigger Current(Igt)5mA
Gate Trigger Voltage (Vgt)1.3V
Gate Trigger Current - Igt:7 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt:1 V
Maximum Operating Temperature:+125 C
On-State RMS Current - It RMS:1 A
RMS On-State Current(It (rms))1A
Non Repetitive On-State Current:13.8 A
Линейка Продукции-
Количество Выводов4вывод(-ов)
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:500 uA
Peak Repetitive Off?State Voltage (Vdrm)800V
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:800 V
Стиль Корпуса СимистораSOT-223
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000
Пиковая Мощность Затвора2Вт
Максимальный Ток Удержания Ih10мА
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц13.8А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)1А
Максимальная Рабочая Температура125°C
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm800В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt7мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt1.3В

Техническая документация