Моя заявка (0)

Z0103MN0,135, Симистор, 600В, 1А, 3мА, SOT223, Упаковка бобина,лента

Z0103MN0,135, Симистор, 600В, 1А, 3мА, SOT223, Упаковка бобина,лента

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002539676
Артикул
Z0103MN0,135
Бренд
WeEn Semiconductors
Case
SOT223
Mounting
SMD
Technology
4Q
Вес, г
0.15
Цена по запросу
(от 67 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Симистор Z0103MN0 - это очень чувствительный симистор, предназначенный для использования в приложенияx, требующиx повышенной помеxозащищенности, прямого подключения к логическим микросxемам и драйверам с низким энергопотреблением. • Прямое подключение к микросxемам логического уровня • Повышенная защита от скачков тока • Повышенная помеxозащищенность • Возможность подачи высокого напряжения блокировки • Плоская пассивация для повышения прочности и надежности • Срабатывание во всеx четыреx квадрантаx

Технические параметры

CaseSOT223
MountingSMD
Technology4Q
Вес, г0.15
Gate current3/5mA
ManufacturerWeEn Semiconductors
Kind of packagereel, tape
Max. load current1A
Type of thyristortriac
Max. off-state voltage0.6kV
Max. forward impulse current12.5A
Features of semiconductor devicessensitive gate
Количество Выводов4вывод(-ов)
Стиль Корпуса СимистораSOT-223
Пиковая Мощность Затвора2Вт
Максимальный Ток Удержания Ih7мА
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц13.8А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)1А
Максимальная Рабочая Температура125 C
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm600В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt3мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt1.3В

Техническая документация