WSB5558N-2/TR, 30uA@30V 30V Single 450mV@100mA 100mA DFN1006-2L Schottky Barrier Diodes (SBD)
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017612350
- Артикул
- WSB5558N-2/TR
- Бренд
- WILLSEMI(Will Semicon)
- Вес, г
- 0.01
- Корпус
- DFN1006-2L
- Diode Configuration
- Single
- Reverse Voltage (Vr)
- 30V
Цена по запросу
(от 6,86 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В одиночныx 450 мВ при 100 мА 100 мА диодов с барьером Шоттки DFN1006-2L (SBD) ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Корпус | DFN1006-2L |
| Diode Configuration | Single |
| Reverse Voltage (Vr) | 30V |
| Forward Voltage (Vf@If) | 450mV@100mA |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 30uA@30V |
| Average Rectified Current (Io) | 100mA |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Обратный ток утечки, мкА | 30 |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 0.45 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 30 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 100 |