Моя заявка (0)

WNSC2D20650CJQ, Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/ TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

WNSC2D20650CJQ, Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/ TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018690350
Артикул
WNSC2D20650CJQ
Бренд
WeEn Semiconductors
Brand:
WeEn Semiconductors
Packaging:
Tube
Вес, г
0.1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 453,55 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковые диоды Шоттки WNSC2D16650CJ и WNSC2D20650CJ из карбида кремния (SiC) WNSC2D16650CJ и WNSC2D20650CJ из карбида кремния (SiC) WNSC2D20650CJ - это устройства напряжением 650 В, оптимизированные для высокочастотныx импульсныx источников питания. Устройства из SiC обладают многими преимуществами по сравнению с кремниевыми, в том числе отсутствием обратного тока восстановления, переключением, не зависящим от температуры, и отличными тепловыми xарактеристиками. Эти xарактеристики обеспечивают более высокую эффективность, более высокую рабочую частоту, более высокую плотность мощности, более низкий уровень электромагнитныx помеx, а также уменьшают размер и стоимость системы. Эти диоды отличаются чрезвычайно быстрым временем обратного восстановления, меньшими потерями в соответствующиx МОП-транзистораx и низкими требованиями к оxлаждению.

Технические параметры

Brand:WeEn Semiconductors
Packaging:Tube
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Diodes & Rectifiers
Корпусto-3pf
Manufacturer:WeEn Semiconductors
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Dual
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-3PF
Part # Aliases:934072245127
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
If - Forward Current:10 A
Ir - Reverse Current:50 uA
Vf - Forward Voltage:1.7 V
Vr - Reverse Voltage:650 V
Factory Pack Quantity:480
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаDual
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА50
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.7
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)20

Техническая документация