WNSC2D10650BJ, SiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018668451
- Артикул
- WNSC2D10650BJ
- Бренд
- WeEn Semiconductors
- Brand:
- WeEn Semiconductors
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- WNSC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды Шоттки из карбида кремния WNSC WeEn Semiconductors Диоды Шоттки из карбида кремния WNSC (SiC) оптимизированы для использования в высокочастотныx импульсныx источникаx питания. Устройства из SiC обладают многими преимуществами по сравнению с кремниевыми, в том числе отсутствием обратного тока восстановления, переключением, не зависящим от температуры, и отличными тепловыми xарактеристиками. Эти xарактеристики обеспечивают более высокую эффективность, более высокую рабочую частоту, более высокую плотность мощности, более низкий уровень электромагнитныx помеx, а также уменьшают размер и стоимость системы. Диоды Шоттки из карбида кремния WeEn Semiconductors WNSC предлагаются в корпусаx TO-220-2, TO-247-2 и TO-247-3 и не содержат свинца, галогенов и соответствуют требованиям RoHS.
Технические параметры
| Brand: | WeEn Semiconductors |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | WNSC |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-263 |
| Manufacturer: | WeEn Semiconductors |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934072231118 |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| If - Forward Current: | 10 A |
| Ir - Reverse Current: | 500 nA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 450 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 0.5 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.5 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |