Моя заявка (0)

WAS350M12BM3, Discrete Semiconductor Modules BM3, 1200V, 350A SiCHalf-Bridge Module

WAS350M12BM3, Discrete Semiconductor Modules BM3, 1200V, 350A SiCHalf-Bridge Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064128445
Артикул
WAS350M12BM3
Бренд
WOLFSPEED
Type:
Half Bridge
Brand:
Wolfspeed
Product:
SiC Modules
Packaging:
Bulk
Цена по запросу
(от 139 400 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

62-миллиметровые полумостовые модули из карбида кремния Wolfspeed 1200V и 1700V 62-миллиметровые полумостовые модули из карбида кремния (SiC) сочетают в себе системные преимущества SiC с надежной компоновкой и низкой индуктивностью. Полумостовые модули обеспечивают повышенную эффективность системы благодаря низким потерям при переключении и проводимости SiC. Эти силовые модули имеют внутреннюю компоновку с низкой индуктивностью, что позволяет максимально использовать напряжение при минимальныx превышенияx и звонкаx. Полумостовые модули изготовлены из керамики из нитрида алюминия для снижения термического сопротивления с надежным согласованием CTE и керамики из нитрида кремния для поддержания максимальной температуры соединения.

Технические параметры

Type:Half Bridge
Brand:Wolfspeed
Product:SiC Modules
Packaging:Bulk
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Discrete Semiconductor Modules
Manufacturer:Wolfspeed
Package/Case:106.4 mm x 60.44 mm x 30.8 mm
Product Type:Discrete Semiconductor Modules
Configuration:Dual
Mounting Style:Screw Mount
Product Category:Discrete Semiconductor Modules
Transistor Polarity:N-Channel
Vf - Forward Voltage:2 V
Factory Pack Quantity:1
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +19 V
Id - Continuous Drain Current:417 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:5.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V