Моя заявка (0)

W25Q64JVSSIM TR, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 64Мб питание 2.7....3.6В 8-pin SOIC 208-mil диапазон -40 to 85С

W25Q64JVSSIM TR, Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 64Мб питание 2.7....3.6В 8-pin SOIC 208-mil диапазон -40 to 85С

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066850059
Артикул
W25Q64JVSSIM TR
Бренд
Winbond Electronics
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Cell Type
NOR
Цена по запросу
(от 740,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
Cell TypeNOR
ECCN (US)3A991b.1.a.
PackagingTape and Reel
Page Size256byte
Pin Count8
AutomotiveNo
Boot BlockNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.1
ECC SupportNo
PCB changed8
Part StatusUnconfirmed
Sector Size4Kbyte x 2048
Timing TypeSynchronous
ArchitectureSectored
Package Width5.28
Interface TypeSerial(SPI, Dual SPI, Quad SPI)
Package Length5.28
Number of Words8M
ProgrammabilityYes
Supplier PackageSOIC
Block OrganizationSymmetrical
Chip Density (bit)64M
Command CompatibleYes
Process Technology58nm
Program Current (mA)25
Support of Page ModeNo
Max. Access Time (ns)6
Standard Package NameSO
Maximum Erase Time (S)100/Chip
Operating Current (mA)25
Address Bus Width (bit)24
Programming Voltage (V)2.7 to 3.6
Number of Bits/Word (bit)8
Minimum Endurance (Cycles)100000
Supplier Temperature GradeIndustrial
Maximum Programming Time (ms)3/Page
Maximum Operating Frequency (MHz)133
Maximum Operating Temperature (°C)85
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Operating Supply Voltage (V)3.6
Minimum Operating Supply Voltage (V)2.7
Typical Operating Supply Voltage (V)3|3.3

Техническая документация